IRFB4110PBF 与 PSMN016-100PS,127 区别
| 型号 | IRFB4110PBF | PSMN016-100PS,127 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFB4110PBF | A-PSMN016-100PS,127 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 100 V 370 W 210 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.5mΩ@75A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 370W(Tc) | 148W |
| 输出电容 | - | 189pF |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 3V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220AB | SOT78 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | 175°C |
| 连续漏极电流Id | 180A | 57A |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 9620pF @ 50V | - |
| 输入电容 | - | 2404pF |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 210nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 16mΩ@10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 1,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFB4110PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 370W(Tc) 4.5mΩ@75A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 180A 100V TO-220AB |
暂无价格 | 1,000 | 当前型号 | ||||||||||
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STP80NF10 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 85,500 | 对比 | ||||||||||
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STP150N10F7 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 17,000 | 对比 | ||||||||||
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AOT292L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 100V 20V 105A 300W 4.5mΩ@10V |
￥12.2449
|
1,000 | 对比 | ||||||||||
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STP180N10F3 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | ||||||||||
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PSMN016-100PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 148W 175°C 3V 100V 57A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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