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IRFB4110PBF  与  PSMN016-100PS,127  区别

型号 IRFB4110PBF PSMN016-100PS,127
唯样编号 A-IRFB4110PBF A-PSMN016-100PS,127
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 370 W 210 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ@75A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 370W(Tc) 148W
输出电容 - 189pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB SOT78
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 180A 57A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 9620pF @ 50V -
输入电容 - 2404pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 210nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 16mΩ@10V
库存与单价
库存 1,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥8.8599
50+ :  ¥7.2622
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB4110PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 370W(Tc) 4.5mΩ@75A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 180A 100V TO-220AB

暂无价格 1,000 当前型号
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TO-220 N-Channel 100V 20V 105A 300W 4.5mΩ@10V

¥12.2449 

阶梯数 价格
1: ¥12.2449
100: ¥8.8235
500: ¥7.5949
1,000: ¥6
1,000 对比
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TO-220-3

¥8.349 

阶梯数 价格
6: ¥8.349
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暂无价格 0 对比

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