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IRFB4020PBF  与  IRF640NPBF  区别

型号 IRFB4020PBF IRF640NPBF
唯样编号 A-IRFB4020PBF A36-IRF640NPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 200 V 0.15 Ohm 67 nC 150 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 100mΩ@11A,10V 150mΩ@11A,10V
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 100W(Tc) 150W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 18A 18A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.9V @ 100µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 50V 1160pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V 67nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
库存与单价
库存 0 3,699
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥1.925
50+ :  ¥1.474
1,000+ :  ¥1.232
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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