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IRFB4020PBF  与  IRF630  区别

型号 IRFB4020PBF IRF630
唯样编号 A-IRFB4020PBF A36-IRF630
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 100mΩ@11A,10V -
漏源极电压Vds 200V -
Pd-功率耗散(Max) 100W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 18A -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.9V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
库存与单价
库存 0 23
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
9+ :  ¥5.599
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB4020PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 100W(Tc) 100mΩ@11A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 18A 200V TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
IRF630NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 200V 9.3A 300mΩ 20V 82W N-Channel

暂无价格 1,000 对比
IRF640NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 150W(Tc) 150mΩ@11A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 18A 200V TO-220AB

暂无价格 1,000 对比
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阶梯数 价格
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暂无价格 0 对比

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