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IRFB38N20DPBF  与  FDP52N20  区别

型号 IRFB38N20DPBF FDP52N20
唯样编号 A-IRFB38N20DPBF A32-FDP52N20
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 200 V 0.054 Ohm 60 nC 3.8 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3 FDP52N20 Series 200 V 52 A 0.049 Ohm Through Hole N-Channel MOSFET - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 357W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 54mΩ@26A,10V 49 毫欧 @ 26A,10V
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),300W(Tc) 357W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±30V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 38A 52A(Tc)
系列 HEXFET® UniFET™
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 25V 2900pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 91nC @ 10V 63nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 25V 2900pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 91nC @ 10V 63nC
库存与单价
库存 0 5
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥9.891
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