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IRFB3806PBF  与  IRFZ44VPBF  区别

型号 IRFB3806PBF IRFZ44VPBF
唯样编号 A-IRFB3806PBF A-IRFZ44VPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 115 W 67 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 15.8mΩ@25A,10V 16.5mΩ
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 71W(Tc) 115W
Qg-栅极电荷 - 44.7nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 43A 55A
系列 HEXFET® HEXFET®
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 50µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1150pF @ 50V 1812pF @ 25V
长度 - 10mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V 67nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 50µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1150pF @ 50V 1812pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V 67nC @ 10V
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB3806PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 71W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 15.8mΩ@25A,10V N-Channel 60V 43A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
STP55NF06 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 60,000 对比
STP60NF06 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥4.587 

阶梯数 价格
20: ¥4.587
100: ¥3.663
1,000: ¥3.52
4,175 对比
STP55NF06 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥3.168 

阶梯数 价格
20: ¥3.168
100: ¥2.541
1,000: ¥2.42
2,000 对比
IRFZ44NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 94W(Tc) 17.5mΩ@25A,10V -55°C~175°C N-Channel 49A 55V TO-220AB

暂无价格 1,000 对比
IRFZ44VPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 60V 55A 16.5mΩ 20V 115W N-Channel

暂无价格 1,000 对比

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