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IRFB3607PBF  与  IRF2807PBF  区别

型号 IRFB3607PBF IRF2807PBF
唯样编号 A-IRFB3607PBF A36-IRF2807PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 9mΩ@46A,10V 13mΩ
漏源极电压Vds 75V 75V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 200W
Qg-栅极电荷 - 106.7nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 80A 82A
系列 HEXFET® HEXFET®
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3070pF @ 50V 3820pF @ 25V
长度 - 10mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 84nC @ 10V 160nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3820pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 160nC @ 10V
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 1,000 917
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥3.828
50+ :  ¥2.948
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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