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IRFB3307ZPBF  与  PSMN005-75P,127  区别

型号 IRFB3307ZPBF PSMN005-75P,127
唯样编号 A-IRFB3307ZPBF A-PSMN005-75P,127
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.4mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.6mΩ -
Qg-栅极电荷 79nC -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
栅极电压Vgs 20V 3V
封装/外壳 TO-220AB SOT78
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175°C
连续漏极电流Id 120A 75A
配置 Single -
长度 10mm -
输入电容 - 8250pF
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4750pF -
高度 15.65mm -
漏源极电压Vds 75V 75V
Pd-功率耗散(Max) 230W 230W
输出电容 - 920pF
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4750pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 5mΩ@10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC -
库存与单价
库存 1,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB3307ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 75V 120A 4.6mΩ 20V 230W N-Channel

暂无价格 1,000 当前型号
STP75NF75 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥3.278 

阶梯数 价格
20: ¥3.278
100: ¥2.64
1,000: ¥2.508
1,625 对比
IRF3808PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 75V 140A 7mΩ 20V 330W N-Channel

暂无价格 1,000 对比
IRF1407PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 130A 330W 7.8mΩ 75V 20V N-Channel

暂无价格 1,000 对比
STP75NF75 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
PSMN005-75P,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT78 N-Channel 230W 175°C 3V 75V 75A

暂无价格 0 对比

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