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IRFB3306PBF  与  IRL2505  区别

型号 IRFB3306PBF IRL2505
唯样编号 A-IRFB3306PBF A-IRL2505
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 230 W 85 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.2mΩ@75A,10V 8mΩ
栅极电压Vgs ±20V 16V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
封装/外壳 TO-220AB TO-220
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 160A 104A
Ptot max - 200.0W
QG - 86.7nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4520pF -
Budgetary Price €€/1k - 0.72
RthJC max - 0.75K/W
漏源极电压Vds 60V 55V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 230W(Tc) -
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 44.7nC
Mounting - THT
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4520pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC -
Tj max - 175.0°C
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB3306PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) 4.2mΩ@75A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 160A 60V TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
STP160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
IPP052N06L3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP052N06L3GXKSA1_60V 80A 4.2mΩ 20V 115W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IRL2505 Infineon  数据手册 功率MOSFET

8mΩ 55V TO-220 N-Channel 16V 104A

暂无价格 0 对比
IPP037N06L3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP037N06L3 G_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRF3205ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.5mΩ@66A,10V N-Channel 55V 110A TO-220AB

暂无价格 0 对比

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