IRFB3306PBF 与 IRF3205PBF 区别
| 型号 | IRFB3306PBF | IRF3205PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFB3306PBF | A-IRF3205PBF |
| 制造商 | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 60 V 230 W 85 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB | Single N-Channel 55 V 8 mOhm 146 nC 200 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.2mΩ@75A,10V | 8mΩ@62A,10V |
| 漏源极电压Vds | 60V | 55V |
| Pd-功率耗散(Max) | 230W(Tc) | 200W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220AB | TO-220AB |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 160A | 110A |
| 系列 | HEXFET® | HEXFET® |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 50V | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 150µA | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4520pF @ 50V | 3247pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 120nC @ 10V | 146nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4520pF | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 120nC | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 1,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB3306PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 230W(Tc) 4.2mΩ@75A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 160A 60V TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
|
IRF3205PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) 8mΩ@62A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 110A 55V TO-220AB |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
|
STP160N75F3 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
PSMN3R0-60PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 306W 175°C 3V 60V 100A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
IRF2805PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 330W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.7mΩ@104A,10V N-Channel 55V 75A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
STP160N75F3 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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