IRFB3306GPBF 与 IRFB3306PBF 区别
| 型号 | IRFB3306GPBF | IRFB3306PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFB3306GPBF | A-IRFB3306PBF |
| 制造商 | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3306GPBF, 160 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装 | Single N-Channel 60 V 230 W 85 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 4.83mm | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.2mΩ | 4.2mΩ@75A,10V |
| 引脚数目 | 3 | - |
| 最小栅阈值电压 | 2V | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V |
| 封装/外壳 | - | TO-220AB |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 160A | 160A |
| 长度 | 10.67mm | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 150µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4520pF @ 50V | 4520pF |
| 高度 | 16.51mm | - |
| 类别 | 功率 MOSFET | - |
| 典型关断延迟时间 | 40 ns | - |
| 晶体管材料 | Si | - |
| 漏源极电压Vds | - | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 230W | 230W(Tc) |
| 晶体管配置 | 单 | - |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 系列 | HEXFET | HEXFET® |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 50V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4520pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 120nC @ 10V |
| 典型接通延迟时间 | 15 ns | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 120nC @ 10V | 120nC |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB3306GPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 160A 4.2mΩ 230W |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRFB3306PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 230W(Tc) 4.2mΩ@75A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 160A 60V TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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