首页 > 商品目录 > > > > IRFB3207ZPBF代替型号比较

IRFB3207ZPBF  与  IRF3808PBF  区别

型号 IRFB3207ZPBF IRF3808PBF
唯样编号 A-IRFB3207ZPBF A36-IRF3808PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N沟道,75V,170A,4.1mΩ@10V Single N-Channel 75 V 330 W 220 nC Through Hole Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.1mΩ@75A,10V 7mΩ
Qg-栅极电荷 - 150nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
封装/外壳 TO-220AB TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 170A 140A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6920pF 5310pF @ 25V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 75V 75V
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc) 330W
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V -
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6920pF @ 50V 5310pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V 220nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC 220nC @ 10V
库存与单价
库存 0 138
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
8+ :  ¥6.71
100+ :  ¥5.368
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB3207ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
IRF1407PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB 10mm

暂无价格 1,000 对比
IPP034NE7N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP034NE7N3 G_TO-220-3

¥13.783 

阶梯数 价格
4: ¥13.783
10: ¥11.484
401 对比
IRF1407PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB 10mm

¥5.192 

阶梯数 价格
10: ¥5.192
100: ¥4.169
167 对比
IRF3808PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB 10mm

¥6.71 

阶梯数 价格
8: ¥6.71
100: ¥5.368
138 对比
STP160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售