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IRFB3207ZPBF  与  IRF1607PBF  区别

型号 IRFB3207ZPBF IRF1607PBF
唯样编号 A-IRFB3207ZPBF A-IRF1607PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N沟道,75V,170A,4.1mΩ@10V Single N-Channel 75 V 380 W 320 nC Through Hole Power MosFet - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.1mΩ@75A,10V 7.5mΩ@85A,10V
漏源极电压Vds 75V 80V
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc) 380W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 170A 142A
系列 HEXFET® HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6920pF @ 50V 7750pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V 320nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6920pF 7750pF @ 25V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC 320nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB3207ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 300W(Tc) 4.1mΩ@75A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 170A 75V TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
IRF1407PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 130A 330W 7.8mΩ 75V 20V N-Channel

暂无价格 1,000 对比
STP160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
PHP79NQ08LT,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHP79NQ08LT_SOT78 N-Channel 157W 175°C 1.5V 75V 73A

¥8.3163 

阶梯数 价格
20: ¥8.3163
50: ¥6.8166
0 对比
IRF1607PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 380W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7.5mΩ@85A,10V N-Channel 80V 142A TO-220AB

暂无价格 0 对比
BUK954R8-60E,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK954R8-60E_SOT78 N-Channel 234W 175°C 1.7V 60V 100A

¥13.3466 

阶梯数 价格
20: ¥13.3466
50: ¥11.1221
0 对比

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