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IRFB3207PBF  与  PSMN005-75P,127  区别

型号 IRFB3207PBF PSMN005-75P,127
唯样编号 A-IRFB3207PBF A-PSMN005-75P,127
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 75 V 4.5 mOhm 260 nC 300 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220-3 MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ@75A,10V -
漏源极电压Vds 75V 75V
Pd-功率耗散(Max) 330W(Tc) 230W
输出电容 - 920pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB SOT78
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 170A 75A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 7600pF @ 50V -
输入电容 - 8250pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 260nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 5mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7600pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 260nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥14.0254
50+ :  ¥11.4962
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB3207PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 330W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.5mΩ@75A,10V N-Channel 75V 170A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
STP140NF75 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±20V 310W(Tc) 7.5mΩ@70A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 75V 120A

暂无价格 3,000 对比
STP140NF75 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±20V 310W(Tc) 7.5mΩ@70A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 75V 120A

暂无价格 0 对比
PSMN005-75P,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN005-75P_SOT78 N-Channel 230W 175℃ 3V 75V 75A

¥14.0254 

阶梯数 价格
20: ¥14.0254
50: ¥11.4962
0 对比
PSMN4R2-60PLQ Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R2-60PL_SOT78 N-Channel 263W 175℃ 1.7V 60V 130A

¥12.29 

阶梯数 价格
20: ¥12.29
50: ¥10.0738
0 对比
IRFB3207 Infineon  数据手册 功率MOSFET

4.5mΩ 75V TO-220 N-Channel 20V 180A

暂无价格 0 对比

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