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IRFB3206PBF  与  IRFB3306PBF  区别

型号 IRFB3206PBF IRFB3306PBF
唯样编号 A-IRFB3206PBF A36-IRFB3306PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Single N-Channel 60 V 230 W 85 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.4mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 3mΩ@75A,10V 4.2mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 300W 230W(Tc)
Qg-栅极电荷 120nC -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 210A 160A
系列 HEXFET® HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 50V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA 4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6540pF @ 50V 4520pF @ 50V
长度 10mm -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V 120nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6540pF @ 50V 4520pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V 120nC
高度 15.65mm -
库存与单价
库存 0 5,539
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥3.718
100+ :  ¥2.97
1,000+ :  ¥2.75
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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20: ¥3.718
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1,000: ¥2.75
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¥3.421 

阶梯数 价格
20: ¥3.421
100: ¥2.739
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¥4.752 

阶梯数 价格
20: ¥4.752
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TO-220AB

¥9.6016 

阶梯数 价格
20: ¥9.6016
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TO-220AB

¥1.5317 

阶梯数 价格
1: ¥1.5317
25: ¥1.3205
50: ¥1.1385
60 对比

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