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IRFB3206PBF  与  IRFB3306GPBF  区别

型号 IRFB3206PBF IRFB3306GPBF
唯样编号 A-IRFB3206PBF A-IRFB3306GPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3306GPBF, 160 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.4mm 4.83mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3mΩ@75A,10V 4.2mΩ
Qg-栅极电荷 120nC -
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 2V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 TO-220AB -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 210A 160A
长度 10mm 10.67mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6540pF @ 50V 4520pF @ 50V
高度 15.65mm 16.51mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 40 ns
漏源极电压Vds 60V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 300W 230W
晶体管配置 -
FET类型 N-Channel -
系列 HEXFET® HEXFET
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6540pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 15 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V 120nC @ 10V
库存与单价
库存 1,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB3206PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 60V 210A 3mΩ@75A,10V ±20V 300W N-Channel

暂无价格 1,000 当前型号
IRF1405PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 330W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.3mΩ@101A,10V N-Channel 55V 169A TO-220AB

暂无价格 1,000 对比
STP60NF06 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥4.411 

阶梯数 价格
20: ¥4.411
49 对比
AOT262L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 60V 20V 140A 333W 3mΩ@10V

暂无价格 0 对比
PSMN3R0-60PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN3R0-60PS_SOT78 N-Channel 306W 175°C 3V 60V 100A

¥15.6625 

阶梯数 价格
20: ¥15.6625
50: ¥12.8381
0 对比
IRFB3306GPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 160A 4.2mΩ 230W

暂无价格 0 对比

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