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IRFB3206PBF  与  IRF1405PBF  区别

型号 IRFB3206PBF IRF1405PBF
唯样编号 A-IRFB3206PBF A-IRF1405PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Single N-Channel 55 V 330 W 170 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.4mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 3mΩ@75A,10V 5.3mΩ@101A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 300W 330W(Tc)
Qg-栅极电荷 120nC -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 210A 169A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6540pF @ 50V 5480pF @ 25V
长度 10mm -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V 260nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6540pF @ 50V 5480pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V 260nC @ 10V
高度 15.65mm -
库存与单价
库存 1,000 1,000
工厂交货期 3 - 5天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB3206PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 60V 210A 3mΩ@75A,10V ±20V 300W N-Channel

暂无价格 1,000 当前型号
STP60NF06 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥4.1283 

阶梯数 价格
20: ¥4.1283
100: ¥3.2967
1,000: ¥3.168
4,016 对比
IRF1405PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 330W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.3mΩ@101A,10V N-Channel 55V 169A TO-220AB

暂无价格 1,000 对比
STP60NF06 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥4.587 

阶梯数 价格
20: ¥4.587
100: ¥3.663
188 对比
PSMN4R6-60PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R6-60PS_SOT78 N-Channel 211W 175℃ 3V 60V 100A

¥11.1096 

阶梯数 价格
20: ¥11.1096
50: ¥9.1062
0 对比
AOT262L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 60V 20V 140A 333W 3mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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