IRFB3206GPBF 与 AOT66616L 区别
| 型号 | IRFB3206GPBF | AOT66616L | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFB3206GPBF | A-AOT66616L | ||
| 制造商 | Infineon Technologies | AOS | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | Single N-Channel 60 V 3 mOhm 170 nC HEXFET Power Mosfet Surface Mount - TO-220AB | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3mΩ@75A,10V | 3.2mΩ@20A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 300W(Tc) | 125W | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | TO-220AB | TO-220-3 | ||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~150°C | ||
| 连续漏极电流Id | 210A | 140A | ||
| 系列 | HEXFET® | - | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 150µA | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 6540pF @ 50V | - | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 170nC @ 10V | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 150µA | - | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 6540pF @ 50V | - | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 170nC @ 10V | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFB3206GPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@75A,10V N-Channel 60V 210A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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IRFB3206PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 60V 210A 3mΩ@75A,10V ±20V 300W N-Channel |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | ||||
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AOT66616L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220-3 N-Channel 60V ±20V 140A 125W 3.2mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
￥6.0635
|
0 | 对比 |
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