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IRFB3077PBF  与  IRF3808PBF  区别

型号 IRFB3077PBF IRF3808PBF
唯样编号 A-IRFB3077PBF A-IRF3808PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 75 V 330 W 220 nC Through Hole Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.3mΩ@75A,10V 7mΩ
漏源极电压Vds 75V 75V
Pd-功率耗散(Max) 370W(Tc) 330W
Qg-栅极电荷 - 150nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 210A 140A
系列 HEXFET® HEXFET®
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 9400pF @ 50V 5310pF @ 25V
长度 - 10mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 220nC @ 10V 220nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5310pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 220nC @ 10V
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 1,000 1,000
工厂交货期 3 - 5天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB3077PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 370W(Tc) 3.3mΩ@75A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 210A 75V TO-220AB

暂无价格 1,000 当前型号
IRF1407PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 130A 330W 7.8mΩ 75V 20V N-Channel

暂无价格 1,000 对比
IRF3808PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 75V 140A 7mΩ 20V 330W N-Channel

暂无价格 1,000 对比
IPP028N08N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

80V 100A 2.8mΩ 20V 300W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 500 对比
AOT262L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 60V 20V 140A 333W 3mΩ@10V

暂无价格 0 对比
PHP29N08T,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT78 N-Channel 88W 175°C 4V 75V 27A

暂无价格 0 对比

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