IRFB3006PBF 与 IRF1324PBF 区别
隐藏相同项高亮不同项

规格信息
型号	IRFB3006PBF	IRF1324PBF
唯样编号	A-IRFB3006PBF	A-IRF1324PBF
制造商	Infineon Technologies	Infineon Technologies
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	功率MOSFET
描述	Single N-Channel 60 V 375 W 200 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB	Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1324PBF, 353 A, Vds=24 V, 3引脚 TO-220AB封装
数据表	IRF-IRFB3006PBF.pdf	IRF1324PBF.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
宽度	-	4.83mm
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.5mΩ@170A,10V	2mΩ
漏源极电压Vds	60V	-
Pd-功率耗散(Max)	375W(Tc)	300W
最小栅阈值电压	-	2V
栅极电压Vgs	±20V	-
FET类型	N-Channel	-
封装/外壳	TO-220AB	-
工作温度	-55°C~175°C(TJ)	-55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id	270A	353A
系列	HEXFET®	-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA	-
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	8970pF @ 50V	-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	300nC @ 10V	-
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V	10V
典型接通延迟时间	-	17 ns
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA	4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	8970pF @ 50V	7590pF @ 24V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	300nC @ 10V	240nC @ 10V
典型关断延迟时间	-	83 ns
库存与单价
库存	1,000	0
工厂交货期	3 - 5天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
购买数量	点击询价	点击询价

推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
IRFB3006PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.5mΩ@170A,10V N-Channel 60V 270A TO-220AB	暂无价格	1,000	当前型号
IRFB3206PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 60V 210A 3mΩ@75A,10V ±20V 300W N-Channel	暂无价格	1,000	对比
IRFB3006GPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.5mΩ@170A,10V N-Channel 60V 270A TO-220AB	暂无价格	0	对比
IPP040N06N3 G	Infineon	数据手册	功率MOSFET	60V 90A 3.3mΩ 20V 188W N-Channel -55°C~175°C	暂无价格	0	对比
IRF1324PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	-55°C~175°C(TJ) 353A 2mΩ 300W	暂无价格	0	对比
PSMN3R0-60PS,127	Nexperia	数据手册	功率MOSFET	SOT78 N-Channel 306W 175°C 3V 60V 100A	暂无价格	0	对比