IRFB260NPBF 与 FDP52N20 区别
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规格信息
型号	IRFB260NPBF	FDP52N20
唯样编号	A-IRFB260NPBF	A3t-FDP52N20
制造商	Infineon Technologies	ON Semiconductor
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	通用MOSFET
描述	Single N-Channel 200 V 380 W 150 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB	FDP52N20 Series 200 V 52 A 0.049 Ohm Through Hole N-Channel MOSFET - TO-220-3
数据表	IRFB260NPBF.pdf	FDP52N20.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
功率	-	357W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	40mΩ@34A,10V	49 毫欧 @ 26A,10V
漏源极电压Vds	200V	200V
Pd-功率耗散(Max)	380W(Tc)	357W(Tc)
栅极电压Vgs	±20V	±30V
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	-	10V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	TO-220AB	TO-220-3
工作温度	-55°C~175°C(TJ)	-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id	56A	52A(Tc)
系列	HEXFET®	UniFET™
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	-	25V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	4220pF @ 25V	2900pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	220nC @ 10V	63nC @ 10V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA	5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4220pF @ 25V	2900pF
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	220nC @ 10V	63nC
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
IRFB260NPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 380W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 40mΩ@34A,10V N-Channel 200V 56A TO-220AB	暂无价格	0	当前型号
STP40NF20	STMicro	数据手册	通用MOSFET	TO-220-3	暂无价格	4,550	对比
STP40NF20	STMicro	数据手册	通用MOSFET	TO-220-3	暂无价格	0	对比
FDP52N20	ON Semiconductor	数据手册	通用MOSFET	357W(Tc) 49m Ohms@26A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220AB 52A N-Channel 200V 52A(Tc) ±30V 49 毫欧 @ 26A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3	暂无价格	0	对比
SUP57N20-33-E3	Vishay	数据手册	功率MOSFET	57A(Tc) N-Channel 33 mOhms @ 30A,10V 3.75W(Ta),300W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 200V	暂无价格	0	对比
SUP57N20-33-E3	Vishay	数据手册	功率MOSFET	57A(Tc) N-Channel 33 mOhms @ 30A,10V 3.75W(Ta),300W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 200V	暂无价格	0	对比