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IRF9952TRPBF  与  IRF9952  区别

型号 IRF9952TRPBF IRF9952
唯样编号 A-IRF9952TRPBF A-IRF9952
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual N/P-Channel 30 V 2 W 6.9/6.1 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 100mΩ@2.2A,10V 100mΩ@2.2A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2W
FET类型 N+P-Channel -
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.5A,2.3A 3.5A,2.3A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 190pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 190pF @ 15V 190pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V 14nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF9952TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 100mΩ@2.2A,10V 2W N+P-Channel 30V 3.5A,2.3A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
IRF9952 Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V 3.5A,2.3A 100mΩ@2.2A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) 8-SO

暂无价格 0 对比

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