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IRF9540NSTRLPBF  与  IRF9540NSTRRPBF  区别

型号 IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRRPBF
唯样编号 A-IRF9540NSTRLPBF A-IRF9540NSTRRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 100 V 117 mOhm 110 nC 3.1 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 117mΩ@14A,10V 117mΩ@14A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W(Ta),110W(Tc) 3.1W(Ta),110W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 D2PAK D2PAK
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 23A 23A
系列 HEXFET® HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1450pF @ 25V 1450pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V 110nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1450pF @ 25V 1450pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V 110nC @ 10V
库存与单价
库存 800 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF9540NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.1W(Ta),110W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 117mΩ@14A,10V P-Channel 100V 23A D2PAK

暂无价格 800 当前型号
IRF9540NSTRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.1W(Ta),110W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 117mΩ@14A,10V P-Channel 100V 23A D2PAK

暂无价格 0 对比

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