尊敬的客户:中秋节9-25至9-27我司放假,放假期间网站可自助下单,节后将按订单先后顺序安排,给您带来的不便,敬请谅解!
首页 > 商品目录 > > > > IRF9389TRPBF代替型号比较

IRF9389TRPBF  与  ZXMC3A17DN8TA  区别

型号 IRF9389TRPBF ZXMC3A17DN8TA
唯样编号 A-IRF9389TRPBF A36-ZXMC3A17DN8TA
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N/P-Channel ±30 V 27/64 mO 2 W HEXFET Mosfet Surface Mount - SOIC-8 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 2W 1.25W
漏源极电压Vds 30V 30V
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 50mΩ@7.8A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 600pF @ 25V
FET类型 N+P-Channel N+P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 12.2nC @ 10V
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6.8A,4.6A 4.1A,3.4A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 10µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 398pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 10µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 398pF @ 15V -
导通电阻Rds(On) 27mΩ@6.8A,10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 500
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥3.1212
50+ :  ¥2.499
500+ :  ¥2.3154
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF9389TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 27mΩ@6.8A,10V 2W N+P-Channel 30V 6.8A,4.6A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
DMC3025LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SO-8

暂无价格 2,500 对比
DMC3025LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SO-8

¥1.344 

阶梯数 价格
40: ¥1.344
100: ¥1.0308
1,250: ¥0.8736
1,353 对比
ZXMC3A17DN8TA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N+P-Channel 1.25W 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 4.1A,3.4A

¥3.1212 

阶梯数 价格
20: ¥3.1212
50: ¥2.499
500: ¥2.3154
500 对比
AO4620 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 7.2A 2W 24mΩ@10V

¥1.3339 

阶梯数 价格
3,000: ¥1.3339
0 对比
DMC3025LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>
在
线
销
售

在线销售