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IRF9389TRPBF  与  ZXMC3A17DN8TA  区别

型号 IRF9389TRPBF ZXMC3A17DN8TA
唯样编号 A-IRF9389TRPBF A36-ZXMC3A17DN8TA
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N/P-Channel ±30 V 27/64 mO 2 W HEXFET Mosfet Surface Mount - SOIC-8 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 27mΩ@6.8A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 1.25W
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 50mΩ@7.8A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 600pF @ 25V
FET类型 N+P-Channel N+P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 12.2nC @ 10V
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 6.8A,4.6A 4.1A,3.4A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 10µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 398pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 10µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 398pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 500
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥4.191
50+ :  ¥3.355
500+ :  ¥3.113
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF9389TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 27mΩ@6.8A,10V 2W N+P-Channel 30V 6.8A,4.6A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
DMC3025LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

20mΩ@7.4A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO N+P-Channel 30V 6.5A,4.2A

¥0.9514 

阶梯数 价格
60: ¥0.9514
100: ¥0.7317
1,250: ¥0.6198
2,500: ¥0.5742
8,068 对比
AO4620 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 7.2A 2W 24mΩ@10V

¥0.8448 

阶梯数 价格
60: ¥0.8448
200: ¥0.583
923 对比
ZXMC3A17DN8TA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N+P-Channel 1.25W 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 4.1A,3.4A

¥4.191 

阶梯数 价格
20: ¥4.191
50: ¥3.355
500: ¥3.113
500 对比
AO4620 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 7.2A 2W 24mΩ@10V

¥2.779 

阶梯数 价格
480: ¥2.779
1,000: ¥2.1867
1,500: ¥1.7101
3,000: ¥1.3339
0 对比
IRF7379TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V 5.8A,4.3A 45mΩ@5.8A,10V 2.5W -55°C~150°C(TJ) 8-SO

暂无价格 0 对比

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