IRF9389TRPBF 与 DMC3025LSD-13 区别
| 型号 | IRF9389TRPBF | DMC3025LSD-13 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF9389TRPBF | A-DMC3025LSD-13 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | MOSFET |
| 描述 | N/P-Channel ±30 V 27/64 mO 2 W HEXFET Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | Dual N/P-Channel 30 V 32/85 mOhm 4.6/5.1 nC 1.2 W Silicon SMT Mosfet SOIC-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 2W | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | - |
| FET类型 | N+P-Channel | - |
| 封装/外壳 | 8-SO | SO-8 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 6.8A,4.6A | - |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.3V @ 10µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 398pF @ 15V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 14nC @ 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.3V @ 10µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 398pF @ 15V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 27mΩ@6.8A,10V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 14nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF9389TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 27mΩ@6.8A,10V 2W N+P-Channel 30V 6.8A,4.6A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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DMC3025LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||
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DMC3025LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SO-8 |
￥1.344
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1,353 | 对比 | ||||||||
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ZXMC3A17DN8TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N+P-Channel 1.25W 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 4.1A,3.4A |
￥3.1212
|
500 | 对比 | ||||||||
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AO4620 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 7.2A 2W 24mΩ@10V |
￥1.3339
|
0 | 对比 | ||||||||
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|
DMC3025LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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