IRF9321TRPBF 与 SI4491EDY-T1-GE3 区别
| 型号 | IRF9321TRPBF | SI4491EDY-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF9321TRPBF | A-SI4491EDY-T1-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | P沟道,30V,15A,7.2mΩ@10V | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 7.2mΩ@15A,10V | 6.5mΩ@13A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | 6.9W |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±25V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | 10V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SO | SO-8 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 15A | 17.3A(Ta) |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | 15V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.4V @ 50µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2590pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 98nC @ 10V | - |
| 电压 | - | -30V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.4V @ 50µA | 2.8V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2590pF @ 25V | 4620pF |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 98nC @ 10V | 153nC |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF9321TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 7.2mΩ@15A,10V P-Channel 30V 15A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SI4491EDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 30V 17.3A(Ta) ±25V 6.5mΩ@13A,10V -55°C~150°C(TJ) SO-8 6.9W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SI4491EDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 30V 17.3A(Ta) ±25V 6.5mΩ@13A,10V -55°C~150°C(TJ) SO-8 6.9W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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