IRF9310PBF 与 SI4459ADY-T1-GE3 区别
| 型号 | IRF9310PBF | SI4459ADY-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF9310PBF | A3t-SI4459ADY-T1-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single P-Channel 30 V 6.8 mOhm 58 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8 | MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.6mΩ@20A,10V | 5mΩ |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | 3.5W(Ta),7.8W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SO | SOIC-8 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 20A | 19.7A |
| 系列 | HEXFET® | SI |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.4V @ 100µA | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5250pF @ 15V | 6000pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 165nC @ 10V | 195nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.4V @ 100µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5250pF @ 15V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 165nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF9310PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 4.6mΩ@20A,10V P-Channel 30V 20A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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SI4459ADY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.5W(Ta),7.8W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 30V 19.7A 5mΩ |
暂无价格 | 50 | 对比 | ||||
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SI4425DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
19.7A(Tc) P-Channel 9.8 mOhms @ 13A,10V 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
￥1.2234
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0 | 对比 | ||||
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SI4425DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
19.7A(Tc) P-Channel 9.8 mOhms @ 13A,10V 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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SI4459ADY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.5W(Ta),7.8W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 30V 19.7A 5mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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