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IRF9310PBF  与  SI4425DDY-T1-GE3  区别

型号 IRF9310PBF SI4425DDY-T1-GE3
唯样编号 A-IRF9310PBF A3t-SI4425DDY-T1-GE3
制造商 Infineon Technologies Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 6.8 mOhm 58 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8 SI4425DDY Series 30 V 9.8 mOhm 80 nC P-Channel Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.6mΩ@20A,10V 9.8 mOhms @ 13A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta),5.7W(Tc)
Vgs(th) - 2.5V @ 250uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-SO 8-SOIC
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 20A 19.7A(Tc)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5250pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 165nC @ 10V -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5250pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 165nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF9310PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 4.6mΩ@20A,10V P-Channel 30V 20A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
SI4459ADY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.5W(Ta),7.8W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 30V 19.7A 5mΩ

暂无价格 50 对比
SI4425DDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

19.7A(Tc) P-Channel 9.8 mOhms @ 13A,10V 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V

¥1.2234 

阶梯数 价格
2,500: ¥1.2234
0 对比
SI4425DDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

19.7A(Tc) P-Channel 9.8 mOhms @ 13A,10V 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V

暂无价格 0 对比
SI4459ADY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.5W(Ta),7.8W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 30V 19.7A 5mΩ

暂无价格 0 对比

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