IRF8915TRPBF 与 SI9926CDY-T1-GE3 区别
| 型号 | IRF8915TRPBF | SI9926CDY-T1-GE3 | ||||||
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| 唯样编号 | A-IRF8915TRPBF | A36-SI9926CDY-T1-GE3 | ||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||
| 描述 | Dual N-Channel 20 V 2 W 7.4 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | Dual N-Channel 20 V 0.018 Ohm 3.1 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 2W | 3.1W | ||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||
| Vgs(th) | - | 1.5V @ 250uA | ||||||
| FET类型 | N-Channel | 2N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SOIC | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||
| 连续漏极电流Id | 8.9A | 8A | ||||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 540pF @ 10V | - | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 7.4nC @ 4.5V | - | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 540pF @ 10V | - | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | 18.3mΩ@8.9A,10V | 18 mOhms @ 8.3A,4.5V | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 7.4nC @ 4.5V | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 1,537 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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IRF8915TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 18.3mΩ@8.9A,10V 2W N-Channel 20V 8.9A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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SI9926CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8A 2N-Channel 18 mOhms @ 8.3A,4.5V 3.1W 8-SOIC -55°C~150°C 20V |
￥5.604
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1,537 | 对比 |
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