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IRF8910TRPBF  与  AO4806  区别

型号 IRF8910TRPBF AO4806
唯样编号 A-IRF8910TRPBF A36-AO4806
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual N-Channel 20 V 2 W 7.4 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 200
Rds On(Max)@Id,Vgs 13.4mΩ@10A,10V 14mΩ@9.4A,10V
ESD Diode - Yes
Rds On(Max)@1.8V - 30mΩ
Rds On(Max)@4.5V - 16mΩ
Rds On(Max)@2.5V - 22mΩ
Qgd(nC) - 4.7
栅极电压Vgs - ±12V
Td(on)(ns) - 3.3
封装/外壳 8-SO SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃
连续漏极电流Id 10A 9.4A
Ciss(pF) - 1810
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.55V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 960pF @ 10V -
Trr(ns) - 22 Ohms
Td(off)(ns) - 44
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2W
Qrr(nC) - 8.6
VGS(th) - 1 Ohms
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.55V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 960pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V -
Coss(pF) - 232
Qg*(nC) - 17.9
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF8910TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 13.4mΩ@10A,10V 2W N-Channel 20V 10A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
IRF7401TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 22mΩ@4.1A,4.5V N-Channel 20V 8.7A 8-SO

暂无价格 4,000 对比
DMG6898LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

16mΩ@9.4A,4.5V 1.28W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 20V 9.5A

暂无价格 0 对比
AO4806 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 20V ±12V 9.4A 2W 14mΩ@9.4A,10V -55℃~150℃

暂无价格 0 对比
DMG6898LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

16mΩ@9.4A,4.5V 1.28W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 20V 9.5A

暂无价格 0 对比
IRF9910TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 9.3mΩ@12A,10V 2W N-Channel 20V 10A,12A 8-SO

暂无价格 0 对比

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