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IRF8736TRPBF  与  AO4430  区别

型号 IRF8736TRPBF AO4430
唯样编号 A-IRF8736TRPBF A-AO4430
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 4.8 mOhm Surface Mount HEXFET Power Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 355
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.8mΩ@18A,10V 5.5mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 7.5mΩ
Qgd(nC) - 15
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 12
封装/外壳 8-SO SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 18A 18A
Ciss(pF) - 6060
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 50µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2315pF @ 15V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 33.5
Td(off)(ns) - 51.5
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 3W
Qrr(nC) - 22 Ohms
VGS(th) - 2.5
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 50µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2315pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V -
Coss(pF) - 638
Qg*(nC) - 48
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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