IRF8721TRPBF 与 IRF8721GTRPBF 区别
| 型号 | IRF8721TRPBF | IRF8721GTRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF8721TRPBF | A-IRF8721GTRPBF |
| 制造商 | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.5mΩ@14A,10V | 8.5mΩ@14A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | 2.5W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SO | SO8 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 14A | 14A(Ta) |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.35V @ 25µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1040pF @ 15V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12nC @ 4.5V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.35V @ 25µA | 2.35V @ 25µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1040pF @ 15V | 1040pF @ 15V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12nC @ 4.5V | 12nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF8721TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8.5mΩ@14A,10V N-Channel 30V 14A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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AOSP32314 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 14.5A 3.1W 9mΩ@10V |
￥2.5128
|
1,010 | 对比 | ||||||||||||
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IRF8721GTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 14A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 8.5mΩ@14A,10V -55°C~150°C(TJ) SO8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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SI4156DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
24A(Tc) N-Channel 6 mOhms @ 15.7A,10V 2.5W(Ta),6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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|
SI4156DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
24A(Tc) N-Channel 6 mOhms @ 15.7A,10V 2.5W(Ta),6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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