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IRF8721TRPBF  与  BSO094N03S  区别

型号 IRF8721TRPBF BSO094N03S
唯样编号 A-IRF8721TRPBF A-BSO094N03S
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 1.56W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.5mΩ@14A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2300pF @ 15V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 8-SO 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 14A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 18nC @ 5V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 9.1 毫欧 @ 13A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1040pF @ 15V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 30uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1040pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 10A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF8721TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8.5mΩ@14A,10V N-Channel 30V 14A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
AOSP32314 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 14.5A 3.1W 9mΩ@10V

¥2.5128 

阶梯数 价格
1: ¥2.5128
100: ¥2
1,000: ¥1.4412
1,500: ¥1.2405
3,000: ¥0.98
1,010 对比
AO4420A AOS  数据手册 功率MOSFET

13.7A(Ta) N-Channel ±12V 10.5 mΩ @ 13.7A,10V 8-SOIC 3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
BSO083N03MSGXUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRF8721GTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 14A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 8.5mΩ@14A,10V -55°C~150°C(TJ) SO8

暂无价格 0 对比
BSO094N03S Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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