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IRF8721TRPBF  与  AOSP32314  区别

型号 IRF8721TRPBF AOSP32314
唯样编号 A-IRF8721TRPBF A-AOSP32314
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 95
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.5mΩ@14A,10V 9mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 12.6mΩ
Qgd(nC) - 4
栅极电压Vgs ±20V 20V
封装/外壳 8-SO SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 14A 14.5A
Ciss(pF) - 1420
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1040pF @ 15V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 7.5
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 3.1W
Qrr(nC) - 9
VGS(th) - 2.25
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1040pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V -
Coss(pF) - 150
Qg*(nC) - 10
库存与单价
库存 0 1,010
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥2.5128
100+ :  ¥2
1,000+ :  ¥1.4412
1,500+ :  ¥1.2405
3,000+ :  ¥0.98
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8.5mΩ@14A,10V N-Channel 30V 14A 8-SO

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¥2.5128 

阶梯数 价格
1: ¥2.5128
100: ¥2
1,000: ¥1.4412
1,500: ¥1.2405
3,000: ¥0.98
1,010 对比
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