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IRF8714TRPBF  与  FDS6670A  区别

型号 IRF8714TRPBF FDS6670A
唯样编号 A-IRF8714TRPBF A32-FDS6670A-1
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 30 V 8 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
漏源极电压Vds 30V 30V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO 8-SOIC
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 14A 13A
系列 HEXFET® PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1020pF @ 15V 2220pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V 30nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1020pF @ 15V -
导通电阻Rds(On) 8.7mΩ@14A,10V 8m Ohms@13A,10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 12,500
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
2,500+ :  ¥2.2
5,000+ :  ¥2.09
10,000+ :  ¥2.035
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF8714TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8.7mΩ@14A,10V N-Channel 30V 14A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
FDS6670A ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

13A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 8m Ohms@13A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 13A 8-SOIC

¥2.2 

阶梯数 价格
2,500: ¥2.2
5,000: ¥2.09
10,000: ¥2.035
12,500 对比
DMN3010LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) 9mΩ@16A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 16A

¥2.388 

阶梯数 价格
30: ¥2.388
100: ¥1.848
1,250: ¥1.596
2,468 对比
FDS6670A ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

13A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 8m Ohms@13A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 13A 8-SOIC

¥3.3 

阶梯数 价格
1: ¥3.3
10: ¥2.75
100: ¥2.53
299 对比
IRF7413TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 11mΩ@7.3A,10V N-Channel 30V 13A 8-SO

暂无价格 0 对比
FDS6670A ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

13A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 8m Ohms@13A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 13A 8-SOIC

暂无价格 0 对比

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