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IRF840ASPBF  与  STB9NK50ZT4  区别

型号 IRF840ASPBF STB9NK50ZT4
唯样编号 A-IRF840ASPBF A-STB9NK50ZT4
制造商 Vishay STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 500 V 0.85 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3 MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 850m Ohms@4.8A,10V -
漏源极电压Vds 500V -
Pd-功率耗散(Max) 3.1W(Ta),125W(Tc) -
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 D2PAK TO-263-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 8A -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1018pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 38nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF840ASPBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

N-Channel ±30V 3.1W(Ta),125W(Tc) 850m Ohms@4.8A,10V -55°C~150°C(TJ) D2PAK 500V 8A

暂无价格 0 当前型号
STB9NK50ZT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

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