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IRF8113TRPBF  与  DMN4800LSSL-13  区别

型号 IRF8113TRPBF DMN4800LSSL-13
唯样编号 A-IRF8113TRPBF A36-DMN4800LSSL-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 6.8 mOhm 36 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8 MOSFET N-CH 30V 8A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.6mΩ@17.2A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 1.46W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 14mΩ@8A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 798 pF @ 10 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 8.7 nC @ 5 V
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 17.2A 8A(Ta)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2910pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2910pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 2,500
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.408
100+ :  ¥1.0769
1,250+ :  ¥0.9119
2,500+ :  ¥0.8448
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF8113TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 5.6mΩ@17.2A,10V N-Channel 30V 17.2A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
DMN4800LSSL-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.46W(Ta) ±20V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 8A(Ta)

¥1.408 

阶梯数 价格
40: ¥1.408
100: ¥1.0769
1,250: ¥0.9119
2,500: ¥0.8448
2,500 对比
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55℃~150℃

¥0.8261 

阶梯数 价格
70: ¥0.8261
200: ¥0.5698
1,686 对比
AO4406A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 13A 3.1W 11.5mΩ@12A,10V -55°C~150°C

¥1.7156 

阶梯数 价格
490: ¥1.7156
1,000: ¥1.35
1,500: ¥1.0558
3,000: ¥0.8235
0 对比
AO4568 AOS 功率MOSFET

12A(Ta) N-Channel ±20V 11.5 mΩ @ 12A,10V 8-SOIC 2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
AO4406A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 13A 3.1W 11.5mΩ@12A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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