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IRF8113TRPBF  与  DMN3007LSS-13  区别

型号 IRF8113TRPBF DMN3007LSS-13
唯样编号 A-IRF8113TRPBF A3-DMN3007LSS-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 6.8 mOhm 36 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8 Single N-Channel 30 V 2.5 W 64.2 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.6mΩ@17.2A,10V 7mΩ@15A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO SOP
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 17.2A 16A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA 2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2910pF @ 15V 2714pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 4.5V 64.2nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2910pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF8113TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 5.6mΩ@17.2A,10V N-Channel 30V 17.2A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55℃~150℃

¥0.8261 

阶梯数 价格
70: ¥0.8261
200: ¥0.5698
6,408 对比
AO4406A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 13A 3.1W 11.5mΩ@12A,10V -55°C~150°C

¥1.7156 

阶梯数 价格
490: ¥1.7156
1,000: ¥1.35
1,500: ¥1.0558
3,000: ¥0.8235
0 对比
DMN3007LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) 7mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 16A

暂无价格 0 对比
AO4406A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 13A 3.1W 11.5mΩ@12A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
AO4568 AOS 功率MOSFET

12A(Ta) N-Channel ±20V 11.5 mΩ @ 12A,10V 8-SOIC 2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比

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