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IRF8010STRLPBF  与  AOB412L  区别

型号 IRF8010STRLPBF AOB412L
唯样编号 A-IRF8010STRLPBF A-AOB412L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 15mΩ@45A,10V 15.5 mΩ @ 20A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 260W(Tc) 2.6W(Ta),150W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±25V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK TO-263(D?Pak)
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 80A 8.2A(Ta),60A(Tc)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3830pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
栅极电荷Qg - 54nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3830pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF8010STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB80NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

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