IRF8010STRLPBF 与 AOB1100L 区别
| 型号 | IRF8010STRLPBF | AOB1100L |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF8010STRLPBF | A-AOB1100L |
| 制造商 | Infineon Technologies | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | - | 35 |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 15mΩ@45A,10V | 11.7mΩ@10V |
| ESD Diode | - | No |
| Qgd(nC) | - | 19 |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V |
| Td(on)(ns) | - | 21 |
| 封装/外壳 | D2PAK | TO-263 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 80A | 130A |
| Ciss(pF) | - | 4833 |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3830pF @ 25V | - |
| Schottky Diode | - | No |
| Trr(ns) | - | 64 |
| Td(off)(ns) | - | 50 |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 260W(Tc) | 500W |
| Qrr(nC) | - | 880 |
| VGS(th) | - | 3.8 |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3830pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 120nC @ 10V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 120nC @ 10V | - |
| Coss(pF) | - | 721 |
| Qg*(nC) | - | 82* |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF8010STRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 260W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 15mΩ@45A,10V N-Channel 100V 80A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STB80NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 6,000 | 对比 |
|
|
STB60NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 |
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|
STB80NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IPB083N10N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 80A 8.3mΩ@73A,10V ±20V 125W N-Channel -55°C~175°C TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
AOB1100L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 100V 20V 130A 500W 11.7mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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