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IRF7907TRPBF  与  SH8K10SGZETB  区别

型号 IRF7907TRPBF SH8K10SGZETB
唯样编号 A-IRF7907TRPBF A33-SH8K10SGZETB
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 16.4mΩ@9.1A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 1.4W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 24mOhm@7A,10V,19.6mOhm@8.5A,10V
栅极电压Vgs - 2.5V@1mA
FET类型 N-Channel 2N-Channel
封装/外壳 8-SO 8-SOIC
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150℃(TJ)
连续漏极电流Id 9.1A,11A 7A(Ta),8.5A(Ta)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V -
栅极电荷Qg - 16.8nC,17.8nC@5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥7.0719
50+ :  ¥5.3662
100+ :  ¥4.8008
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7907TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 16.4mΩ@9.1A,10V 2W N-Channel 30V 9.1A,11A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
SH8K10SGZETB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

7A(Ta),8.5A(Ta) 2N-Channel 2.5V@1mA 1.4W(Ta) 8-SOIC 150℃(TJ) 30V

¥7.0719 

阶梯数 价格
30: ¥7.0719
50: ¥5.3662
100: ¥4.8008
100 对比
IRF7905TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 7.8A,8.9A 21.3mΩ,29.3mΩ 2W

暂无价格 0 对比

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