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IRF7907TRPBF  与  IRF7905TRPBF  区别

型号 IRF7907TRPBF IRF7905TRPBF
唯样编号 A-IRF7907TRPBF A-IRF7905TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 MOSFET IRF7905TRPBF, 7.8 A,8.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 16.4mΩ@9.1A,10V 21.3mΩ,29.3mΩ
引脚数目 - 8
最小栅阈值电压 - 1.35V
封装/外壳 8-SO -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 9.1A,11A 7.8A,8.9A
长度 - 5mm
每片芯片元件数目 - 2
正向二极管电压 - 1V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA 2.25V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 15V 600pF @ 15V
高度 - 1.50mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 6.9 ns、8.1 ns
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 2W 2W
FET类型 N-Channel -
系列 HEXFET® HEXFET
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V -
典型接通延迟时间 - 5.2 ns、6.2 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V 6.9nC @ 4.5V
正向跨导 - 15S
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7907TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 16.4mΩ@9.1A,10V 2W N-Channel 30V 9.1A,11A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
SH8K10SGZETB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

7A(Ta),8.5A(Ta) 2N-Channel 2.5V@1mA 1.4W(Ta) 8-SOIC 150℃(TJ) 30V

¥7.0719 

阶梯数 价格
30: ¥7.0719
50: ¥5.3662
100: ¥4.8008
100 对比
IRF7905TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 7.8A,8.9A 21.3mΩ,29.3mΩ 2W

暂无价格 0 对比

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