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IRF7855TRPBF  与  RS6L120BGTB1  区别

型号 IRF7855TRPBF RS6L120BGTB1
唯样编号 A-IRF7855TRPBF A33-RS6L120BGTB1
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 60V 150A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.4mΩ@12A,10V 2.7mΩ@90A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 104W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO HSOP8 (Single)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 12A 120A
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.9V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1560pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.9V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1560pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC -
库存与单价
库存 0 1,830
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
3+ :  ¥69.4629
10+ :  ¥15.7344
50+ :  ¥10.9048
100+ :  ¥10.3107
500+ :  ¥9.9083
1,000+ :  ¥9.822
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¥4.4748 

阶梯数 价格
1: ¥4.4748
100: ¥3.4493
1,000: ¥2.7142
1,500: ¥2.1226
3,000: ¥1.6557
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¥69.4629 

阶梯数 价格
3: ¥69.4629
10: ¥15.7344
50: ¥10.9048
100: ¥10.3107
500: ¥9.9083
1,000: ¥9.822
1,830 对比

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