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IRF7855TRPBF  与  RS6L090BGTB1  区别

型号 IRF7855TRPBF RS6L090BGTB1
唯样编号 A-IRF7855TRPBF A33-RS6L090BGTB1-0
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 60V 90A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.4mΩ@12A,10V 4.7mΩ@90A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 73W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO HSOP8 (Single)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 12A 90A
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.9V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1560pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.9V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1560pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC -
库存与单价
库存 0 1,695
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥11.8535
50+ :  ¥7.321
100+ :  ¥6.7556
300+ :  ¥6.3723
500+ :  ¥6.2957
1,000+ :  ¥6.2382
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7855TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 9.4mΩ@12A,10V N-Channel 60V 12A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
AO4264E AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 60V 20V 13.5A 3.1W 9.8mΩ@10V

¥1.529 

阶梯数 价格
40: ¥1.529
100: ¥1.177
750: ¥0.9779
1,312 对比
AO4264E AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 60V 20V 13.5A 3.1W 9.8mΩ@10V

¥3.4493 

阶梯数 价格
490: ¥3.4493
1,000: ¥2.7142
1,500: ¥2.1226
3,000: ¥1.6557
0 对比
IRF7478TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 26mΩ@4.2A,10V N-Channel 60V 7A 8-SO

暂无价格 0 对比
RS6L090BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A

¥11.8535 

阶梯数 价格
20: ¥11.8535
50: ¥7.321
100: ¥6.7556
300: ¥6.3723
500: ¥6.2957
1,000: ¥6.2382
1,695 对比
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A

¥14.7953 

阶梯数 价格
20: ¥14.7953
50: ¥10.2532
100: ¥9.6879
300: ¥9.3141
500: ¥9.2375
1,000: ¥9.18
1,250 对比

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