IRF7855TRPBF 与 IRF7478TRPBF 区别
| 型号 | IRF7855TRPBF | IRF7478TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF7855TRPBF | A-IRF7478TRPBF |
| 制造商 | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 2.5W(Ta) | 2.5W(Ta) |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SO |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 12A | 7A |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - |
| 系列 | HEXFET® | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4.9V @ 100µA | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1560pF @ 25V | 1740pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 39nC @ 10V | 31nC @ 4.5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4.9V @ 100µA | 3V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1560pF | 1740pF @ 25V |
| 导通电阻Rds(On) | 9.4mΩ@12A,10V | 26mΩ@4.2A,10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 39nC | 31nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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IRF7855TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 9.4mΩ@12A,10V N-Channel 60V 12A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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AO4264E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 60V 20V 13.5A 3.1W 9.8mΩ@10V |
￥1.668
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73 | 对比 | ||||||||||||||||
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AO4264E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 60V 20V 13.5A 3.1W 9.8mΩ@10V |
￥1.6557
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0 | 对比 | ||||||||||||||||
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IRF7478TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 26mΩ@4.2A,10V N-Channel 60V 7A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6L120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A |
￥13.8244
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2,600 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6L090BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A |
￥10.6461
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2,500 | 对比 |
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