IRF7855TRPBF 与 AO4264E 区别
| 型号 | IRF7855TRPBF | AO4264E | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF7855TRPBF | A-AO4264E | ||||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | AOS | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Crss(pF) | - | 28 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 9.4mΩ@12A,10V | 9.8mΩ@10V | ||||||||||
| ESD Diode | - | Yes | ||||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 13.5mΩ | ||||||||||
| Qgd(nC) | - | 3.5 | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V | ||||||||||
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | - | ||||||||||
| Td(on)(ns) | - | 8.5 | ||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SO | SO-8 | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 12A | 13.5A | ||||||||||
| Ciss(pF) | - | 1100 | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4.9V @ 100µA | - | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1560pF | - | ||||||||||
| Schottky Diode | - | No | ||||||||||
| Trr(ns) | - | 18.5 | ||||||||||
| Td(off)(ns) | - | 50 | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | 3.1W | ||||||||||
| Qrr(nC) | - | 59 | ||||||||||
| VGS(th) | - | 2.4 | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - | ||||||||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4.9V @ 100µA | - | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1560pF @ 25V | - | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 39nC @ 10V | - | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 39nC | - | ||||||||||
| Coss(pF) | - | 300 | ||||||||||
| Qg*(nC) | - | 7 | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 818 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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IRF7855TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 9.4mΩ@12A,10V N-Channel 60V 12A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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AO4264E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 60V 20V 13.5A 3.1W 9.8mΩ@10V |
￥4.4748
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818 | 对比 | ||||||||||||||||
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IRF7478TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 26mΩ@4.2A,10V N-Channel 60V 7A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6L120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A |
￥25.6617
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1,039 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6L090BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A |
￥13.4537
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534 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6L120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A |
暂无价格 | 100 | 对比 |
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