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IRF7854TRPBF  与  IRF7488TRPBF  区别

型号 IRF7854TRPBF IRF7488TRPBF
唯样编号 A-IRF7854TRPBF A-IRF7488TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 80 V 2.5 W 27 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 N-Channel 80 V 2.5 W 38 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 13.4mΩ@10A,10V 29mΩ@3.8A,10V
漏源极电压Vds 80V 80V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10A 6.3A
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V 25V
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.9V @ 100µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 25V 1680pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC @ 10V 57nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.9V @ 100µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF 1680pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC 57nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7854TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 13.4mΩ@10A,10V N-Channel 80V 10A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
IRF7488TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 29mΩ@3.8A,10V N-Channel 80V 6.3A 8-SO

暂无价格 0 对比
FDS86140 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

11.2A(Ta) ±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) 9.8m Ohms@11.2A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 100V 11.2A 8-SOIC

暂无价格 0 对比
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W

暂无价格 130 对比
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W

¥14.642 

阶梯数 价格
20: ¥14.642
35 对比
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W

暂无价格 0 对比

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