首页 > 商品目录 > > > > IRF7854TRPBF代替型号比较

IRF7854TRPBF  与  FDS86140  区别

型号 IRF7854TRPBF FDS86140
唯样编号 A-IRF7854TRPBF A-FDS86140
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 80 V 2.5 W 27 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 13.4mΩ@10A,10V 9.8m Ohms@11.2A,10V
漏源极电压Vds 80V 100V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta),5W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO 8-SOIC
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10A 11.2A
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
系列 HEXFET® PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.9V @ 100µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 25V 2580pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC @ 10V 41nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.9V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7854TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 当前型号
IRF7488TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
FDS86140 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

暂无价格 0 对比
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8

暂无价格 100 对比
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8

¥66.8948 

阶梯数 价格
3: ¥66.8948
10: ¥15.2456
50: ¥10.5215
50 对比
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售