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IRF7853TRPBF  与  IRF7452TRPBF  区别

型号 IRF7853TRPBF IRF7452TRPBF
唯样编号 A-IRF7853TRPBF A36-IRF7452TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 0.06 Ohm 50 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 18mΩ@8.3A,10V 60mΩ@2.7A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±30V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 8.3A 4.5A
系列 HEXFET® HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.9V @ 100µA 5.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1640pF @ 25V 930pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC @ 10V 50nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.9V @ 100µA 5.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1640pF @ 25V 930pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC @ 10V 50nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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阶梯数 价格
20: ¥3.476
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1,000: ¥2.486
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3,070 对比
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