IRF7853TRPBF 与 FDS3672 区别
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规格信息
型号	IRF7853TRPBF	FDS3672
唯样编号	A-IRF7853TRPBF	A-FDS3672-1
制造商	Infineon Technologies	ON Semiconductor
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	功率MOSFET
描述		N-Channel 100 V 22 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
数据表	IRF7853TRPBF.pdf	FDS3672.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	18mΩ@8.3A,10V	23mΩ@7.5A,10V
漏源极电压Vds	100V	100V
Pd-功率耗散(Max)	2.5W(Ta)	2.5W(Ta)
栅极电压Vgs	±20V	±20V
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V	-
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	8-SO	8-SOIC
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id	8.3A	7.5A
系列	HEXFET®	PowerTrench®
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V	-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4.9V @ 100µA	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1640pF @ 25V	2015pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	39nC @ 10V	37nC @ 10V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V	6V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.9V @ 100µA	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1640pF @ 25V	-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	39nC @ 10V	-
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
购买数量	点击询价	点击询价

推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	操作
IRF7853TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 18mΩ@8.3A,10V N-Channel 100V 8.3A 8-SO	暂无价格	当前型号
FDS86140	ON Semiconductor	数据手册	通用MOSFET	11.2A(Ta) ±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) 9.8m Ohms@11.2A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 100V 11.2A 8-SOIC	暂无价格	对比
FDS3672	ON Semiconductor	数据手册	功率MOSFET	7.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 23mΩ@7.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 100V 7.5A 8-SOIC	暂无价格	对比
FDS3672	ON Semiconductor	数据手册	功率MOSFET	7.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 23mΩ@7.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 100V 7.5A 8-SOIC	暂无价格	对比
IRF7452TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±30V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 60mΩ@2.7A,10V N-Channel 100V 4.5A 8-SO	暂无价格	对比
IRF7473TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 26mΩ@4.1A,10V N-Channel 100V 6.9A 8-SO	暂无价格	对比