IRF7842TRPBF 与 SI4122DY-T1-GE3 区别
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规格信息
型号	IRF7842TRPBF	SI4122DY-T1-GE3
唯样编号	A-IRF7842TRPBF	A-SI4122DY-T1-GE3
制造商	Infineon Technologies	Vishay
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	通用MOSFET
描述	Single N-Channel 40 V 2.5 W 50 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8	Si4122DY Series Single N-Channel 40 V 4.5 mOhm 6 W SMT Power Mosfet - SOIC-8
数据表	IRF7842TRPBF.pdf	SI4122DY-T1-GE3.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	5mΩ@17A,10V	4.5 mOhms @ 15A,10V
漏源极电压Vds	40V	40V
Pd-功率耗散(Max)	2.5W(Ta)	3W(Ta),6W(Tc)
Vgs(th)	-	2.5V @ 250uA
栅极电压Vgs	±20V	-
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	8-SO	8-SOIC
连续漏极电流Id	18A(Ta)	27.2A(Tc)
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~150°C
系列	HEXFET®	-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.25V @ 250µA	-
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	4500pF @ 20V	-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	50nC @ 4.5V	-
Vgs(最大值)	-	±25V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V	-
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	操作
IRF7842TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	N-Channel 40V 18A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 5mΩ@17A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SO	暂无价格	当前型号
IRF7468TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 15.5mΩ@9.4A,10V N-Channel 40V 9.4A 8-SO	暂无价格	对比
DMN3007LSS-13	Diodes Incorporated	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta) 7mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 16A	暂无价格	对比
DMN3007LSS-13	Diodes Incorporated	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta) 7mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 16A	暂无价格	对比
SI4122DY-T1-GE3	Vishay	数据手册	通用MOSFET	27.2A(Tc) N-Channel 4.5 mOhms @ 15A,10V 3W(Ta),6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 40V	暂无价格	对比
SI4122DY-T1-GE3	Vishay	数据手册	通用MOSFET	27.2A(Tc) N-Channel 4.5 mOhms @ 15A,10V 3W(Ta),6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 40V	暂无价格	对比